消息称三星电子今年底启动内存流片，为明年底量产做准备

IT之家8月19日消息，消息称三星电子今年底启动内存流片，为明年底量产做准备韩媒TheElec当地时间本月16日报道称，三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片（IT之家注：Tape-out），为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。

考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间，三星电子的HBM412H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。

▲三星电子HBM产品韩媒在报道中确认，三星电子将在HBM4内存上采用1cnm制程DRAM颗粒和4nm制程逻辑芯片，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。

三星电子的这一决定也对其在HBM市场上的主要竞争对手SK海力士产生了影响：

SK海力士HBM开发团队的一位匿名人士称，SK海力士原计划在HBM4中使用1bnm的DRAM颗粒，但在得知三星电子的HBM4方案后，SK海力士内部正就其HBM4产品是否转向1cnmDRAM进行讨论。

而在HBM4内存的逻辑芯片部分，SK海力士预计将使用台积电提供的5nm或12nm方案。

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